别离使用以称为“NaFlux法”的结晶生长法制成的GaN底板，试制出了GaN类

　　NaFlux法是将氮气（N2）喷到钙（Ga）和钠（Na）的混合溶液中，令氮（N）溶解制成GaN结晶。大阪大学等的研讨小组将用HVPE法制成的GaN结晶用作根底底板。特色是结晶生长越厚，错位越会大幅削减。别的，NaFlux法开始是由日本东北大学多元物质科学研讨所教授山根久典开发的。

　　三垦电气在“NanoTech2010世界纳米技能归纳展·技能会议”上现场演示了将试制的SBD用作LED驱动电路，并实践点亮了LED.据称与在LED的驱动电路中选用一般硅制FRD（快康复二极管，FastRecoveryDiode）时比较，LED驱动电路的功率前进了两个百分点以上。另一方面，丰田中心研讨所试制了耐压为1kV的SBD.此次展出了试制品的阐明展板。

　　此外，在现场展出的还有以NaFlux法制成的GaN底板。展出的产品以口径为2英寸和4英寸为主。大阪大学的森勇介指出，“此次是初次展出4英寸产品”。

　　GaN底板现在正在进行面向有用化的研讨开发，首先以LED用处2英寸品的有用化为方针。因想象会使用GaN底板制作蓝色LED芯片，所以考虑前进蓝色波长带中的光穿透率。另一个方针是下降电阻率。

　　关于本钱方面，以4英寸产品完成3万日元的价格是一个方针。在LED范畴有用化后，下一个方针是功率元件的选用。

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